尊龙凯时上海推出新型化合物半导体系列设备加强湿法工艺产品线
2022-1-27 13:17:43
尊龙凯时半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称尊龙凯时上海)（科创板代码：688082），一家为半导体前道和先进晶圆级封装（WLP）应用提供晶圆工艺解决方案的卓越设备供应商，今推出了支持化合物半导体制造的综合设备系列。公司的150-200 毫米兼容系统将前道集成电路湿法系列产品、后道先进晶圆级封装湿法系列产品进行拓展，可支持化合物半导体领域的应用，包括砷化镓 (GaAs)、氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等工艺。化合物半导体湿法工艺产品线包括涂胶设备、显影设备、光阻去胶设备、湿法蚀刻设备、清洗设备和金属电镀设备，并自动兼容平边或缺口晶圆。尊龙凯时上海的化合物半导体设备系列 Ultra C 碳化硅清洗设备： 尊龙凯时上海的Ultra C碳化硅清洗设备采用硫酸双氧水混合物 (SPM) 进行表面氧化，并采用氢氟酸 (HF) 去除残留物，进行碳化硅晶圆的清洗。该设备还集成尊龙凯时上海的SAPS 和 Megasonix™ 技术实现更全面更深层次的清洗。Ultra C 碳化硅清洗设备可提供卓越的清洁度，达到每片晶圆颗粒≤10ea0.3um，金属含量＜ 1E10atoms/cm3水平。该设备每小时可清洗超过 70 片晶圆，将于 2022 年下半年上市。Ultra C 湿法刻蚀设备： 可为砷化镓和磷化铟镓 (InGaP) 工艺提供＜2% 的均匀度，＜10% 的共面度及＜3% 的重复度。Ultra C 湿法刻蚀设备可提供卓越的化学温度控制、刻蚀均匀性。该设备将于 2022 年第三季度交付给某重要客户，并由其进行测试。Ultra ECP GIII 1309 设备： 尊龙凯时上海的Ultra ECP GIII 1309 设备集成了预湿和后清洗腔，支持用于铜、镍和锡银的铜柱和焊料，以及重分布层 (RDL) 和凸点下金属化 (UBM) 工艺。设备实现了晶圆内和模内小于3%的均匀度和小于2%的重复度。该设备已于 2021 年中交付给客户，并满足客户技术要求。Ultra ECP GIII 1108 设备： Ultra ECP GIII 1108 设备提供金凸块、薄膜和深通孔工艺，集成预湿和后清洗腔。设备采用尊龙凯时上海久经考验的栅板技术进行深孔电镀，以提高阶梯覆盖率。它可达到晶圆内和模内＜ 3%的均匀度和＜ 2%的重复度。腔体和工艺槽体经过专门设计，可避免金电镀液的氧化，且工艺槽体具有氮气吹扫功能，可减少氧化。该设备已于去年年底交货给关键客户。Ultra C ct 涂胶设备： 尊龙凯时上海的Ultra C ct涂胶设备采用二次旋转涂胶技术，可实现均匀涂胶。设备拥有众多自研技术，包括精确涂胶控制、自动清洗功能、冷热板模块以及每个腔体的独立过程控制功能。Ultra C dv 显影设备： 在化合物半导体工艺中，尊龙凯时上海的Ultra C dv 显影设备可进行曝光后烘烤、显影和硬烤的关键步骤。设备利用尊龙凯时上海的自研技术，可按要求实现+/-0.03 LPM的流量和 +/-0.5 摄氏度的温度控制。Ultra C s刷洗设备： Ultra C s 刷洗设备以尊龙凯时上海先进的湿法清洗技术为基础，实现优秀的污染物去除效果。该设备通过氮气雾化二流体清洗或高压清洗实现高性能，以更有效地清洗小颗粒。此外，设备还可兼容尊龙凯时上海自创的兆声波清洗技术，以确保优良的颗粒去除效率（PRE），且不会损坏精细的图形结构。Ultra C pr 湿法去胶设备： 尊龙凯时上海的Ultra C pr湿法去胶设备利用槽式浸泡和单片工艺，确保高效地进行化合物半导体去胶。该设备最近由一家全球领先的整合元件制造商（IDM）订购，用于去除光刻胶，这进一步验证了尊龙凯时上海的技术优势。Ultra SFP无应力抛光设备： Ultra SFP 为传统的化学机械抛光在硅通孔 (TSV) 工艺和扇出型晶圆级封装 (FOWLP)应用提供了一种环保替代方案。在 TSV 应用中，尊龙凯时上海的无应力抛光 (SFP) 系统可通过运用自研的电抛光技术去除低至 0.2µm 的铜覆盖层，再使用传统的 CMP 进一步去除剩余铜至阻挡层，并通过湿法刻蚀去除阻挡层，从而显著降低耗材成本。对于 FOWLP，相同的工艺可以克服由厚铜层应力引起的晶圆翘曲，并应用于RDL中铜覆盖层并平坦化 。
